晶體管參數(shù)測試儀技術(shù)文章

時間：2023-2-13閱讀：552

JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀詳細(xì)介紹
※概述:
JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀，是一種**門用于各種電子元件參數(shù)測試的新型多功能測試裝置。該機(jī)采用大規(guī)模MCU設(shè)計(jì),中文界面操作,大容量內(nèi)存,可存2000種元件參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù).儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、操作簡單、使用安全方便,適用電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家或電子元件供應(yīng)商來料檢測。
※ 測量元件類型:
N型三*管,P型三*管,N型MOS場效應(yīng)管,P型MOS場效應(yīng)管N型結(jié)型場效應(yīng)管,正負(fù)三端穩(wěn)壓IC,三端肖特基,基準(zhǔn)器431,整流二*管,整流橋堆，可控硅，穩(wěn)壓二*管.
※ 測量參數(shù):
■ 整流二*管,三端肖特基，整流橋堆:

參數(shù)項(xiàng)	測試參數(shù)	測試條件設(shè)置
正向壓降(VF)	0-2.000V	0-2.000A
耐壓(VRR)	0-1500V	0-2.000MA

■N型三*管:

參數(shù)項(xiàng)	測試參數(shù)	測試條件設(shè)置
輸入正向壓降(VBE)	0-2.000V	0-2.000A
耐壓(BVCEO)	0-1500V	0-2.000MA
放大倍數(shù)(HEF)	0-3000	VCE:0-20V IC:0-2.000A
飽和壓降(Vsat)	0-2.000V	IB:0-2.00A IC:0-2.00A

■P型三*管:

參數(shù)項(xiàng)	測試參數(shù)	測試條件設(shè)置
輸入正向壓降(VBE)	0-2.000V	0-2.000A
耐壓(BVCEO)	0-1500V	0-2.000MA
放大倍數(shù)(HEF)	0-3000	VCE:5.0V IB:100uA
飽和壓降(Vsat)	0-2.000V	IB:0-2.00A IC:0-2.00A

N,P型MOS場效應(yīng)管:

參數(shù)項(xiàng)	測試參數(shù)	測試條件設(shè)置
啟動電壓(VGS(th))	0-20.00V	0-2.000mA
耐壓(BVCEO)	0-1500V	0-2.000mA
導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson)	0.1Mr-200R	Vgs:0-20V Id:0-2.000A

單雙向可控硅:

參數(shù)項(xiàng)	測試參數(shù)	測試條件設(shè)置
觸發(fā)電流(IGT)	0-40.MA	VD=0-20V,ID=0-2.000A
觸發(fā)電壓(VGT)	0-2.000V	VD=0-20V,ID=0-2.000A
耐壓(VDRM VRRM)	0-1500V	0-2.000mA
通態(tài)壓降(VTM)	0-2.000V	IT:0-2.00A

三端穩(wěn)壓IC:

參數(shù)項(xiàng)	測試參數(shù)	測試條件設(shè)置
輸出電壓(Vo)	0-20.00V	Vin:0-20V Io:0-2.00A

基準(zhǔn)IC 431:

參數(shù)項(xiàng)	測試參數(shù)	測試條件設(shè)置
輸出電壓(Vo)	0-20.00V	IZ:0-200mA

■ 穩(wěn)壓二*管:

參數(shù)項(xiàng)	測試參數(shù)	測試條件設(shè)置
穩(wěn)壓值(VZ)	0-20V	0-100MA
穩(wěn)壓值(VZ)	20-200V	0-2.000MA

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