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半導(dǎo)體硅片測厚儀是用于精確測量硅片厚度及其均勻性的關(guān)鍵設(shè)備，對芯片制造過程中的工藝控制(如研磨、拋光、外延生長等)至關(guān)重要。
一、半導(dǎo)體硅片測厚儀簡介
半導(dǎo)體硅片測厚儀采用機(jī)械接觸式測量方式，嚴(yán)格符合標(biāo)準(zhǔn)要求，有效保證了測試的規(guī)范性和準(zhǔn)確性。專業(yè)適用于量程范圍內(nèi)的塑料薄膜、薄片、隔膜、紙張、箔片、硅片等各種材料的厚度精確測量。
二、半導(dǎo)體硅片測厚儀應(yīng)用領(lǐng)域
1. 工藝控制的核心環(huán)節(jié)
晶圓制備階段
確保切片后的硅片厚度均勻，避免后續(xù)研磨/拋光過量或不足。
檢測TTV和LTV，減少因厚度不均導(dǎo)致的應(yīng)力集中或破裂風(fēng)險(xiǎn)。
薄膜沉積與刻蝕
監(jiān)控外延層、氧化層等薄膜厚度(如Epi層需控制在1~10μm±0.1μm)，直接影響器件電性能(如MOSFET溝道遷移率)。
CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)
實(shí)時(shí)反饋拋光厚度，防止過拋導(dǎo)致硅片報(bào)廢(每片300mm硅片成本可達(dá)數(shù)百美元)。
2. 提升器件性能與良率
電學(xué)參數(shù)一致性
厚度偏差會(huì)導(dǎo)致寄生電容變化，影響高頻器件(如RF芯片)的截止頻率(??fT)。
功率器件(如IGBT)的擊穿電壓與硅片厚度直接相關(guān)(如1200V器件需~150μm厚硅片)。
3D集成與先進(jìn)封裝
硅通孔(TSV)工藝中，硅片減薄至50~100μm時(shí)，厚度誤差需<±1μm，否則導(dǎo)致互聯(lián)失效。
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