菲尼克斯功率存儲(chǔ)設(shè)備2866365采用鉛AGM技術(shù)

哪種材料適合作為某種半導(dǎo)體材料的摻雜物（dopant）需視兩者的原子特性而定。一般而言，摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負(fù)被區(qū)分為施主（donor）與受主（acceptor）。施主原子帶來(lái)的價(jià)電子（valence electrons）大多會(huì)與被摻雜的材料原子產(chǎn)生共價(jià)鍵，進(jìn)而被束縛。而沒有和被摻雜材料原子產(chǎn)生共價(jià)鍵的電子則會(huì)被施主原子微弱地束縛住，這個(gè)電子又稱為施主電子。和本質(zhì)半導(dǎo)體的價(jià)電子比起來(lái)，施主電子躍遷至傳導(dǎo)帶所需的能量較低，比較容易在半導(dǎo)體材料的晶格中移動(dòng)，產(chǎn)生電流。雖然施主電子獲得能量會(huì)躍遷至傳導(dǎo)帶，但并不會(huì)和本質(zhì)半導(dǎo)體一樣留下一個(gè)電洞，施主原子在失去了電子后只會(huì)固定在半導(dǎo)體材料的晶格中。因此這種因?yàn)閾诫s而獲得多余電子提供傳導(dǎo)的半導(dǎo)體稱為n型半導(dǎo)體（n-type semiconductor），n代表帶負(fù)電荷的電子。

和施主相對(duì)的，受主原子進(jìn)入半導(dǎo)體晶格后，因?yàn)槠鋬r(jià)電子數(shù)目比半導(dǎo)體原子的價(jià)電子數(shù)量少，等效上會(huì)帶來(lái)一個(gè)的空位，這個(gè)多出的空位即可視為電洞。受主摻雜后的半導(dǎo)體稱為p型半導(dǎo)體（p-type semiconductor），p代表帶正電荷的電洞。

以一個(gè)硅的本質(zhì)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)明摻雜的影響。硅有四個(gè)價(jià)電子，常用于硅的摻雜物有三價(jià)與五價(jià)的元素。當(dāng)只有三個(gè)價(jià)電子的三價(jià)元素如硼（boron）摻雜至硅半導(dǎo)體中時(shí)，硼扮演的即是受主的角色，摻雜了硼的硅半導(dǎo)體就是p型半導(dǎo)體。反過(guò)來(lái)說(shuō)，如果五價(jià)元素如磷（phosphorus）摻雜至硅半導(dǎo)體時(shí)，磷扮演施主的角色，摻雜磷的硅半導(dǎo)體成為n型半導(dǎo)體。

菲尼克斯功率存儲(chǔ)設(shè)備2866365采用鉛AGM技術(shù)