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質(zhì)地測量用于確定多晶樣品中晶粒的取向分布。如果晶粒沿某些晶格平面以優(yōu)選方向排列，則材料被認為是“質(zhì)地化”的?？梢詫⒉牧系馁|(zhì)地化狀態(tài)（通常以薄膜形式）看作中間狀態(tài)，其性質(zhì)介于隨機取向的多晶粉末和*取向的單晶之間。質(zhì)地通常在材料的制造過程中引入（如薄金屬板的軋制、沉積等），其可以通過引入結(jié)構各向異性來影響材料性能。

經(jīng)過機械或熱處理后，大多數(shù)晶體中會存在優(yōu)選的晶體取向或質(zhì)地，因此其取決于工藝。這些材料的質(zhì)地可能會嚴重影響它們的性能。因此，有必要對這些影響進行量化，以優(yōu)化質(zhì)地化材料的開發(fā)、加工和應用。在傳統(tǒng) XRD 掃描中，衍射峰的相對強度被用作晶體質(zhì)地的初步指示。比來自隨機樣品的所有其他峰更強的峰識別與峰的衍射平面垂直的優(yōu)選晶體取向。質(zhì)地程度用峰的半高全寬 (FWHM) 表示。

使用多毛細管準直光學晶體的平行光束 X 射線衍射技術可以增強材料的質(zhì)地分析。由于平行光束 XRD 對樣品幾何結(jié)構和位移誤差不敏感，因此樣品的質(zhì)地分析幾乎無需樣品制備。出于同樣的原因，該技術可用于監(jiān)測材料的在線變化。此外，通過使用多毛細管準直光學晶體，平行光束 XRD 系統(tǒng)可以與低功率 X 射線源相結(jié)合，從而減小了在線質(zhì)地測量所需的儀器尺寸和功率要求。

平行光束 X 射線衍射幾何結(jié)構使用多毛細管準直光學晶體。該技術已成功地應用于超導帶層質(zhì)量控制和磁性薄膜制造中的薄膜質(zhì)地測量。