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14產(chǎn)品分類(lèi)品牌分類(lèi)
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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線(xiàn)擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)的產(chǎn)品原理是什么？
半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)的產(chǎn)品原理是什么？
產(chǎn)品概述：
熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。盡管單個(gè)TSDC信號(hào)和HTRB性能之間的相關(guān)性表明，極化峰值越高，TSDC曲線(xiàn)越大，而HTRB性能越差，但這并不能wanquan解釋EMC在發(fā)出強(qiáng)放電信號(hào)時(shí)的某些故障。因此，弛豫時(shí)間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。
關(guān)于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測(cè)試技術(shù)，為華測(cè)公司在國(guó)內(nèi)較早提及目前已被廣泛應(yīng)用到較多的半導(dǎo)體封裝材料及半導(dǎo)體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測(cè)試方式是有效的，同時(shí)加速?lài)?guó)產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無(wú)錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。
產(chǎn)品原理：
TSDC是一種研究電荷存儲(chǔ)特性的實(shí)驗(yàn)技術(shù)，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個(gè)極化過(guò)程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場(chǎng)強(qiáng)度下。在此之后，試樣在外加電場(chǎng)的作用下迅速進(jìn)行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)。然后進(jìn)行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進(jìn)行釋放，同時(shí)配合測(cè)量?jī)x器進(jìn)行測(cè)量，并為科研人員進(jìn)行分析。通過(guò)TSDC測(cè)試方法研究了EMC對(duì)功率半導(dǎo)體HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會(huì)發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴(lài)于在相應(yīng)的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會(huì)干擾MOS-FET半導(dǎo)體中反轉(zhuǎn)層的正常形成。通過(guò)TSDC試驗(yàn)，我們還了解了在可靠性測(cè)試中由于應(yīng)用條件而導(dǎo)致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個(gè)重要的影響因素。
產(chǎn)品參數(shù)：
設(shè)備型號(hào)：HC-TSC
溫度范圍：-185 ~ 600°C
控溫精度：±0.25°C
升溫斜率：10°C/min（可設(shè)定）
測(cè)試頻率：最大電壓：±10kV
加熱方式：直流電極加熱
冷卻方式：水冷
樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm
電極材料：黃銅或銀;
夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷
低溫制冷：液氮
測(cè)試功能 ：TSDC
數(shù)據(jù)傳輸：RS-232
設(shè)備尺寸 ：180 x 210 x 50mm