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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
存儲(chǔ)器及其分類
存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器從一開始發(fā)展就受到了人們很多的關(guān)注。其一，它的集成度和集成電路的工藝技術(shù)都代表著當(dāng)代的*高水平；其二，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的產(chǎn)量是*大的，并且使用面在整個(gè)集成電路家族中也是*廣。
數(shù)字存儲(chǔ)器發(fā)展到了今天，已經(jīng)有了很多不同的種類，其中占主導(dǎo)地位的是DRAM（dynamic random access memories)，而人們視線*集中的就是近幾年有著快速發(fā)展的FRAM。隨著各種技術(shù)在電子信息技術(shù)領(lǐng)域的迅速發(fā)展，人們對(duì)高的存儲(chǔ)器的需求也隨之變大。一種的存儲(chǔ)器成為這個(gè)領(lǐng)域*具有發(fā)展?jié)摿Φ漠a(chǎn)品，它有著十分快速的寫入速度，并且有著功耗低、操作電壓低、讀寫次數(shù)不受限制以及抗輻射等非常*的。
它就是鐵電存儲(chǔ)器——被譽(yù)為存儲(chǔ)器*”。它可以在芯片電源忽然斷開的情況下也可保留存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的信息[1]。這種技術(shù)在領(lǐng)域，可用于手機(jī)、PDA和衛(wèi)星通信系統(tǒng)等。
在低端的技術(shù)領(lǐng)域，鐵電存儲(chǔ)器已經(jīng)大量應(yīng)用于smart card、nmp3和各類播放器中。
存儲(chǔ)器的分類
傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類：易失性存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory)和非易失性存儲(chǔ)器PRAM（Phase-change Random Access memory)。易失性存儲(chǔ)器RAMRandomAccess Memory)的全名為隨機(jī)存取記憶體，它在任何時(shí)刻都是可以讀寫的，RAM一般是作為操作系統(tǒng)或者其它正在運(yùn)行的程序臨時(shí)的存儲(chǔ)地點(diǎn)（可稱作內(nèi)存）。它的功能就相當(dāng)于計(jì)算機(jī)上的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備，用來保存數(shù)據(jù)的。RAM型存儲(chǔ)器有著使用方便，高的優(yōu)點(diǎn)，但缺點(diǎn)也很明顯，就是當(dāng)系統(tǒng)電源突然斷開的時(shí)候，系統(tǒng)將無法保存數(shù)據(jù)。如果想要需要保存數(shù)據(jù)的話，就必須把它們寫入到一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)器中（例如硬盤）。這也就是RAM被稱作“可變存儲(chǔ)器”的原因。
而另外一種非易失性存儲(chǔ)器（nonvolatile memory)則不存在突然斷電丟失數(shù)據(jù)的問題，也不用定期地刷新存儲(chǔ)器內(nèi)容。這包括形式的只讀存儲(chǔ)器（ROM），在這之中包括可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM）、可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）和閃存。它也包括電池供電的隨機(jī)存取儲(chǔ)存器（RAM）。只讀存儲(chǔ)器（ROM）技術(shù)幾乎都來自于主流的非易失性存儲(chǔ)器的技術(shù)。正如字面上的意思一樣，被稱為只讀存儲(chǔ)器（ROM）就肯定不容易進(jìn)行寫入操作，在實(shí)際的情況下只讀存儲(chǔ)器（ROM）是根本不能寫入[2-3]。由ROM技術(shù)研究開發(fā)出的存儲(chǔ)器也都具有進(jìn)行寫入操作困難的弊端。這些技術(shù)包括有EPROM、EEPROM和Fhsh。這些存儲(chǔ)器不但寫入速度慢，寫入時(shí)功耗也很大，而且只能擦寫有限的次數(shù)。