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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
LCR數(shù)字電橋有哪些功能
北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司LCR數(shù)字電橋具體功能數(shù)字電橋就是能夠測(cè)量電感，電容，電阻，阻抗的儀器，這是一個(gè)傳統(tǒng)習(xí)慣的說(shuō)法，zui早的阻抗測(cè)量用的是真正的電橋方法，隨著現(xiàn)代模擬和數(shù)字技術(shù)的發(fā)展，早已經(jīng)淘汰了這種測(cè)量方法，但LCR電橋的叫法一直沿用至今。如果是使用了微處理器的LCR電橋則叫LCR數(shù)字電橋。一般用戶又稱(chēng)這些為：LCR測(cè)試儀、LCR電橋、LCR表、LCRMeter等等?？梢詼y(cè)量大量電子元件：廣泛的測(cè)量對(duì)象半導(dǎo)體元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)測(cè)量。其它元件：印制電路板、繼電器、開(kāi)關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估。介質(zhì)材料：塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)的損耗角評(píng)估。磁性材料：鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估。半導(dǎo)體材料：半導(dǎo)體材料的介電常數(shù),導(dǎo)電率和C-V特性。液晶材料：液晶單元的介電子常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性。多種元件、材料特性測(cè)量能力多參數(shù)混合顯示功能多參數(shù)同時(shí)顯示可滿足復(fù)雜元件各種分布參數(shù)的觀察與評(píng)估要求，而不必反復(fù)切換測(cè)量參數(shù)。電感L和其直流電阻DCR可以同時(shí)測(cè)量顯示，顯著提高電感測(cè)量效率。揭示電感器件的多種特性使用內(nèi)部/外部直流偏置，結(jié)合各種掃描測(cè)試功能，可以地分析磁性材料、電感器件的。通過(guò)偏置電流疊加測(cè)試功能，可以測(cè)量高頻電感器件、通訊變壓器，濾波器的小電流疊加。使用外部電流疊加裝置，可使偏置電流達(dá)40A以分析高功率、大電流電感器件。的陶瓷電容測(cè)量1kHz和1MHz是陶瓷材料和電容器的主要測(cè)試頻率。陶瓷電容器具有低損耗值的特征，同時(shí)其容量、損耗施加之交流信號(hào)會(huì)產(chǎn)生明顯的變化。儀器具有寬頻測(cè)試能力并可提供良好的準(zhǔn)確度，六位分辨率和自動(dòng)電平控制（ALC）功能等，中以滿足陶瓷材料和電容器可靠、測(cè)試需要。液晶單元的電容特性測(cè)量電容－電壓（C－Vac)特性是評(píng)價(jià)液晶材料的主要方法，常規(guī)儀器測(cè)量液晶單元的C－Vac特性遇到一個(gè)問(wèn)題是zui大測(cè)試電壓不夠。使用擴(kuò)展測(cè)量選件可提供分辨率為1%及zui高達(dá)20Vms的可編程測(cè)試信號(hào)電平，使它能在*條件下進(jìn)行液晶材料的電容特性測(cè)量。半導(dǎo)體材料和元件的測(cè)量進(jìn)行MOS型半導(dǎo)體制造工藝評(píng)價(jià)時(shí)，需要氧化層電容和襯底雜質(zhì)密度這些參數(shù)，這些可從C－Vdc特性的測(cè)量結(jié)果推導(dǎo)出來(lái)。通過(guò)提供的直流源，結(jié)合各種掃描功能，可以方便地完成C-VDC特性的測(cè)量。為了測(cè)試晶圓上的半導(dǎo)體器件，需要延伸電纜和探頭，儀器的1m/2m/4m延伸電纜選件可將電纜延伸的誤差降至zui小。各種二極管、三極管、MOS管的分布電容也是本儀器的測(cè)試內(nèi)容。