本儀器配置數(shù)字存儲(chǔ)示波器，軟件依照壽命測(cè)量基本原理編寫(xiě)，采用了標(biāo)準(zhǔn)（MF28 及MF1535）中推薦的幾種讀數(shù)方法。

數(shù)字示波器具有存儲(chǔ)功能，應(yīng)用平均采樣方式，平均次數(shù)可選4、16、32、64、128、256 次，隨平均次數(shù)的增加隨機(jī)噪聲被減小，波形穩(wěn)定、清晰。

微波光電導(dǎo)載流子復(fù)合壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI 標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707 及標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用微波反射接觸光電導(dǎo)衰退測(cè)量方法，適用于厚度為1mm 以下的硅片、電池片少數(shù)載流子壽命的測(cè)量，提供接觸、損傷、數(shù)字顯示的快速測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映半導(dǎo)體重金屬污染及缺陷存在的情況，是半導(dǎo)體的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

指標(biāo)：

壽命測(cè)量范圍：0.25μs～10ms；

電阻率下限：≥0.5Ω·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測(cè)量上限。

型號(hào)：N 型或P 型單晶或鑄造多晶。

紅外光源波長(zhǎng)：0.904～0.905μm；

外形尺寸：365×415×160mm

產(chǎn)品重量：13Kg

工作電源：～220V 50Hz

功耗范圍：≤40W

基本配置：

100B壽命儀主機(jī)1臺(tái)

數(shù)字示波器1臺(tái)

信號(hào)線1條

校核片1片

156*156開(kāi)方硅錠測(cè)試臺(tái)1套